彭博引述消息指出，中國擬在「十四五」規劃（2021年至2025年）期間，大力支持發展第三代半導體產業，應對美國政府對晶片的出口限制，重視程度如同五十年代研究製造原子彈一樣。
報道提到，消息人士透露，中國計劃未來5年，在科研、教育和融資方面，拓展第三代半導體產業，並會納入「十四五」規劃，於10月份提交予最高領導層。中共第十九屆五中全會將於10月召開，議程包括研究關於制定國民經濟和社會發展第十四個5年規劃，以及2035年遠景目標的建議。
第三代半導體，是由碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料製成的晶片，可廣泛應用於5G射頻晶片、軍用雷達和電動車等。有學者認為，中國半導體發光技術可與美國媲美，但應用於電動車、5G射頻晶片的電力電子範疇則相對落後。