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傳「十四五」規劃 力拓第三代半導體產業


彭博引述消息指出,中國擬在「十四五」規劃(2021年至2025年)期間,大力支持發展第三代半導體產業,應對美國政府對晶片的出口限制,重視程度如同五十年代研究製造原子彈一樣。

 

報道提到,消息人士透露,中國計劃未來5年,在科研、教育和融資方面,拓展第三代半導體產業,並會納入「十四五」規劃,於10月份提交予最高領導層。中共第十九屆五中全會將於10月召開,議程包括研究關於制定國民經濟和社會發展第十四個5年規劃,以及2035年遠景目標的建議。

第三代半導體,是由碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料製成的晶片,可廣泛應用於5G射頻晶片、軍用雷達和電動車等。有學者認為,中國半導體發光技術可與美國媲美,但應用於電動車、5G射頻晶片的電力電子範疇則相對落後。

 

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